Une nouvelle usine ouverte chez Samsung

Posté par Nydda | 30.09.11 | 12h17

Le groupe coréen a annoncé que sa nouvelle usine était opérationnelle. Dédiée à la fabrication de mémoire DDR ou NAND, ses presque 200.000 m² de surface offrent la plus importante capacité de production mondiale actuellement. Le site est implanté en Corée, au Nano City Complex de Samsung à Hwaseong.

Débutée en Mai 2010, l’usine « Line-16 » a démarré la production de mémoires Flash NAND de 20nm. À terme, l’objectif est d’atteindre les 10.000 wafers de 300mm de diamètre mensuellement. La production de mémoires Flash de 10nm est prévue pour l’an prochain.

Les puces mémoires 256Mo DDR3 de 20nm sont elles aussi en cours de production. Devant théoriquement permettre des économies de 40% et une hausse d’efficacité de 50% comparé à la DDR3 de 30nm. Dans la même déclinaison de 20nm, des puces DDR3 512Mo sont à l’étude.

Les fabricants de mémoire traversent actuellement une période difficile. Les prix de celles-ci ont été divisés par trois depuis la fin 2010.

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